Лавинный пробой транзистора схема

Все полупроводниковые устройства способны работать в предельных режимах. Это давно известно и применяется на практике. Примером может служить работа транзистора в лавинном режиме или как еще говорят в режиме лавинного пробоя коллекторного перехода транзистора. Исследование этого явления привело к созданию отдельного класса транзисторов — лавинных транзисторов. Для них предельный режим стал нормальным режимом работы. Ниже описан только пример, который показывает - светодиоды могут работать в импульсном режиме, выдавая много большую световую мощность. Эта статья призыв поэкспериментировать и найти свое приложение этого режима. Основным условиемстабильной работы в предельном режиме является следующее правило. Превышение предельного уровня лавинный пробой транзистора схема из параметров не должно приводить к выходу за предельные величины всех остальных предельных параметров. При выполнении этого условия надежность полупроводникового прибора не снижается. Эксперименты с предельными режимами часто позволяют получить новые характеристики полупроводниковых приборов. Так после исследований поведения транзисторов при повышенных напряжениях был обнаружен лавинный пробой коллекторного перехода и создан лавинный транзистор. Часто это позволяет создавать лавинный пробой транзистора схема схемы или многократно улучшить характеристики. Рассмотрим работу ИК светодиода в предельном режиме по току на примере AsGa светодиода типа АЛ107. Это достаточно старый светодиод с хорошими для своего времени характеристиками. Его мощность излучения тип А - 6 мВт, тип Б - 10 мВт при токе 100 мА. Исходя из приведенного выше правила, недопустимо превышать рассеиваемую светодиодом мощность и температуру перехода. Поэтому исследование характеристик светодиода при повышенных токах проводятся в импульсном режиме при постоянном контроле остальных параметров. Для области токов до 500мА получена вольтамперная характеристика исследуемого светодиода, которая имеет вид: При подаче на светодиод прямых импульсов тока он генерирует импульсы ИК излучения, мощность которых пропорциональна этому току. Результаты приведены в таблице: I сд А 0,1 0,5 1 5 10 P изл. Поэтому лавинный пробой транзистора схема при токах более 5А менее эффективна. Светодиод АЛ107 в импульсном режиме может обеспечить мощность излучения до 300 мВт. Это позволяет применить его в устройствах, где необходимы именно высокая мощность излучения. Практически светодиоды АЛ107 в длительном режиме при импульсе токе до 5 А, частоте повторения импульсов более 3 10 4 Гц способны длительно работать без снижения надежности. При импульсном токе 1А более десятка светодиодов работали более лавинный пробой транзистора схема л в условиях повышенных напряжений и электромагнитных помех. Особенности питания ИК светодиода в импульсном режиме Не так просто обеспечить нормальную работу светодиода в таком режиме. Для минимизации тепловыделения светодиод надо питать от источника импульсов с малым внутренним сопротивлением лавинный пробой транзистора схема этом фронт импульса накачки должен быть меньше 0,1 мкс. А при таких временах уже начинает сказываться индуктивность цепи HL- VT- Cф, поэтому она должна быть минимальна. Следует, упомянут о параметре, который не освещается в литературе. Это постоянная времени формирования излучения постоянная времени светодиода. Опытным путем, она установлена при фронте импульса питания длительностью на порядок меньше постоянной времени светодиода. Она оказалась равной 0,2-0,5 мкс. В схеме VT быстродействующий транзистор средней мощности подбирается по параметрам тока питания светодиода. Транзистор должен иметь малое напряжение Uкэ в режиме насыщения. Величина суммарной емкости конденсаторов Cнч + Cвч такова, что при разрядке её на светодиод напряжение на ней не должно падать более чем на 10%, лавинный пробой транзистора схема С вч состоит из двух керамических конденсаторов: одного емкостью до 5 мкФ и другого 0,1 мкФ, а С нч — оксидный имеющий малую индуктивность. Здесь коммутирующий транзистор и схема управления должны обеспечить длительность фронта тока возбуждения лавинный пробой транзистора схема 10 - 70 нс. Это необходимо не только для повышения рабочей частота, но и для снижения рассеиваемой мощности на выходном транзисторе и светодиоде. В такой схеме транзистор может работать без радиатора. Эти особенности распространяются и на все другие светодиоды, способные работать в импульсном режиме. Не говорите о устарелости этого материала. Действительно работа выполнена более 15 лет назад, сейчас появились импортные светодиоды с высоким уровнем излучения, но Вы не найдете ни одного светодиода такой конструкции, которая имеет множество преимуществ. Да и прочитав этот материал Вы можете исследовать новые светодиоды и применить их в этом режиме. В случае выхода из строя схемы управления он ограничит ток протекающий через лавинный пробой транзистора схема в допустимых пределах и защитит светодиод от повреждения. Кроме того, для получения коротких фронтов, кроме быстродействующей схемы управления, необходим и малоиндуктивный монтаж цепи Лавинный пробой транзистора схема, Cнч + Cвч, HL. Спасибо за интерес к материалу. Но АЛ107 это не единственное применение описанного режима, лавинный пробой транзистора схема Ваше внимание что многие современные светодиоды позволяют работать в этом режиме. Работа выполнена в 1978 году. Ваши замечания, предложения, вопросы можно отправить автору через или Copyright © Sorokin A.

Также смотрите:

Комментарии:
  • Анна Дюсюпова

    15.12.2015

    ВАХ стабилитрона имеет вид, представленный на рисунке 4.