Сбис интегральная схема

Сверхбольшие интегральные сбис интегральная схема Содержание 1. СБИС ПРОГРАММИРУЕМОЙ ЛОГИКИ ПЛ. АВТОМАТИЗИРОВАННОЕ ПРОЕКТИРОВАНИЕ СБИС …………. Сбис интегральная схема ИСПЛЬЗУЕМОЙ ЛИТЕРАТУРЫ……………………………37 1. ВВЕДЕНИЕ С момента появления первых полупроводниковых микросхем начало 60-х годов микроэлектроника прошла путь от простейших логических элементов до сложных цифровых устройств, изготавливаемых на одном сбис интегральная схема монокристалле площадью около 1 см 2. Сбис интегральная схема обозначения микросхем со степенью интеграции выше 10 4 элементов на кристалле в конце 70-х годов появился термин "сверхбольшие интегральные схемы" СБИС. Уже через несколько лет развитие этих микросхем стало генеральным направлением в микроэлектронике. В начале своего развития электронная промышленность представляла собой отрасль техники, целиком основанную на операциях сборки, и позволяла реализовать весьма сложные функции путем объединения множества элементов в одном изделии. При этом значительная часть прироста стоимости изделий была связана с процессом сборки. Основными этапами этого процесса являлись этапы проектирования, выполнения и проверки соединений между электронными компонентами. Функции и размеры устройств, которые могли быть реализованы на практике, ограничивались количеством используемые компонентов, их физическими размерами и надежностью. Исторически сложилось так, что первоначально внимание к ИС привлекли такие их особенности, как малые размеры и масса, а затем развитие техники ИС, позволяющей скомпоновать на поверхности кристалла значительное количество элементов, включая меж соединения, постепенно привело к возможности создания СБИС. Развитие техники и технологии СБИС обусловило весьма существенные вменения в специфике электронной промышленности, заключающееся в совершенствовании процесса изготовления ИС и методов их проектирования. Типичным фактором первой группы является совершенствование микро технологии. Уменьшение размеров полупроводниковых приборов позволяет одновременно добиться как улучшения характеристик ИС, формально определяемых законом пропорциональности размеров, так и улучшения их экономических материальных и энергетических показателей, связанных с уменьшением площади кристалла. Исторически первым полупроводниковым материалом, использованным на ранних стадиях разработки полупроводниковых приборов, был германий. Совершенствование германиевой технологии сделало возможным создание ряда приборов, включая германиевые точечные и сплавные транзисторы. Сбис интегральная схема вскоре германий был заменен кремнием, обладающим таким важным свойством, как возможность получения в окислительной среде тонкого, прочного и влагонепроницаемого диэлектрического слоя аморфной двуокиси кремния SiO 2. В 60-х годах наибольшее распространение получили ИС на основе биполярных транзисторов. Начиная с 1975 г. Преимущества ИС на основе МОП-структур: Миниатюризация. В технологии СБИС степень интеграции превышает 2 сбис интегральная схема элементов на кристалл. Уровень миниатюризации, который был использован при производстве процессора Intel Pentium в 1993 году, составлял 0,8 мкм, сейчас используются транзисторы с длиной канала 0,18 мкм, а в перспективе - разработка устройств с длиной канала в 0,13 мкм, что в плотную приближается к пределу физических ограничений на работу такого рода транзисторов. Технология создания и получения сверхбольших интегральных схем с минимальными размерами в глубокой субмикронной области 0,25- 0,5 мкм к 2000 году и наноэлектроника полупроводниковые приборы с размерами рабочих областей до 100 нм к 2010 году включают следующие основных направления: технологию сверхбольших кремниевых схем с минимальными размерами в глубокой субмикронной области; технологию сверхскоростных гетеропереходных приборов интегральных схем на основе арсенида галлия, германия на кремнии и других соединений; технологию получения наноразмерных приборов, включая нанолитографию. При реализации этих направлений предусматривается создание сверхчистых монокристаллических полупроводниковых материалов и технологических реагентов, включая газы и жидкости; обеспечение сверх чистых производственных условий по классу 0,1 и выше в зонах обработки и транспорта пластин; разработка технологических операций и создание комплекса оборудования на новых физических принципах, в том числе кластерного типа, с автоматизированным контролем процессов, обеспечивающим заданную прецизионность обработки и низкий уровень загрязнения, а также высокую производительность процессов и воспроизводимость результатов, качество и надежность электронных элементов. Технология сверхбольших интегральных схем обеспечивает разработку и промышленное освоение выпуска широкой номенклатуры интегральных схем, составляющих элементную базу высокопроизводительных ЭВМ, специализированной и бытовой радиоэлектронной аппаратуры, средств связи и телекоммуникаций, в том числе космического базирования. При данной технологии возможные минимальные рабочие размеры составляют сбис интегральная схема мкм и менее до 70 нм к 2010 годудостигаются высокая производительность за счет использования пластин большого диаметра 200 и более мм и полной автоматизации процессов, значительный процент выхода годных электронных приборов и высокая окупаемость вкладываемых в сбис интегральная схема средств. Кремниевая технология является основой создания элементной базы радиоэлектроники, вычислительной техники и средств автоматизации и связи широкого применения. Технология сбис интегральная схема интегральных схем благодаря высокому быстродействию этих приборов ориентирована на специализированные сверхскоростные применения, включая космическую технику, элементную базу суперкомпьютеров, технику связи и телекоммуникаций, а сбис интегральная схема специальную аппаратуру оборонного назначения. Нанотехнология станет промышленной приблизительно начиная с 2010 года, что откроет перспективу создания принципиально нового поколения приборов интегральных схем на новых физических эффектах и приведет в дальнейшем к коренным преобразованиям во многих областях деятельности, в первую очередь - в науке, образовании, управлении производством, в том числе при создании микро роботов, персональных средств связи, глобальных телекоммуникаций, вычислительных устройств на нейросетевых принципах. Первый транзистор, работающий на эффекте поля, был продемонстрирован в 1960 году. Сначала полевые транзисторы с двуокисью кремния в качестве подзатворного диэлектрика формировались на подложке n- типа проводимости. Затем из-за большей подвижности электронов, чем у дырок при формировании сверхбольших быстродействующих интегральных схем стали использовать n- канальные транзисторы, формируемые на p- подложке. Рассмотрим основные технологические этапы производства n-МОП СБИС на примере создания логического вентиля И-НЕ с двумя входами. Принципиальная схема вентиля инвертора приведена на рисунке. Схема состоит из последовательно соединенных двух транзисторов, работающих в режиме обогащения нормально закрытых и одного транзистора, работающего в режиме обеднения нормально открытый. Все транзисторы располагаются между шиной источника питания Vdd и заземляющей шиной Vss. Затворы первых двух транзисторов служат входами схемы, а затвор сбис интегральная схема транзистора, соединенный с истоком второго, является выходом инвертора. Нормально открытый сбис интегральная схема служит источником тока для двух остальных. Выходное напряжение имеет низкое значение логический нуль только в том случае, когда оба первых транзистора открыты, т. В качестве подложки выбирают кремний p- типа проводимости легированный бором КДБ 100 с концентрацией примеси сбис интегральная схема 15 - 10 16см -3. Выбор такой концентрации обусловлен несколькими причинами. С одной стороны уменьшение содержания примеси приводит к снижению чувствительности порогового напряжения к напряжению смещения на подложке и уменьшению емкости p-n переходов, приводя к увеличению быстродействия транзистора. С другой стороны возрастает концентрация неосновных носителей, вызывающих рост тока утечки через обратно смещенный p-n переход, что может привести к соприкосновению областей пространственного заряда стока сбис интегральная схема истока транзистора прокол. Одним из вариантов решения этого противоречия является выращивание слаболегированных эпитаксиальных кремниевых слоев на сильнолегированной подложке, имеющей сбис интегральная схема концентрацию неосновных носителей. Ориентация кремниевой подложки 100 имеет преимущество по сбис интегральная схема с 111сбис интегральная схема с более сбис интегральная схема подвижности электронов, обусловленной низкой плотностью поверхностных состояний на границе кремний-диэлектрик. Ионная имплантация бора для создания изоляции между транзисторами с помощью p-n переходов. На поверхность кремниевой подложки наносятся промежуточный слой термической двуокиси кремния и слой нитрида кремния, играющий роль маски при последующем локальном окислении кремния. Далее с помощью процесса литографии на поверхности вытравливаются окна, в которые осуществляется ионная имплантация бора. Иногда имплантацию осуществляют через слой окисла для уменьшения концентрации примеси в подложке и глубины ее проникновения. На этом этапе проводятся следующие технологические операции: - локальное окисление кремния ЛОКОС процесс ; - формирование подзатворного окисла после удаления промежуточных слоев двуокиси и нитрида кремния ; - имплантация бора для регулировки порогового напряжения нормально закрытых транзисторов; - - формирование окна под скрытый контакт. На данном этапе проводится ионная имплантация мышьяка для формирования канала нормально открытого транзистора. Использование мышьяка вместо фосфора обусловлено меньшей его глубиной в полупроводниковую подложку. Проводится нанесение поликристаллического кремния с его последующим легированием мышьяком. Поликремний выполняет роль сбис интегральная схема затворов, предотвращает p- каналы от дальнейшей перекомпенсации акцепторной примеси мышьяком и служит материалом для последующего соединения стока и затвора нормально открытого транзистора. На этом этапе достигается самосовмещение стоков, истоков и затворов. Заключительный этап формирования схемы. На нем осуществляются: - литография под металлизацию к стокам истокам транзисторов - нанесение фосфор силикатного стекла ФСС. ФСС предотвращает диффузию ионов натрия, сглаживает рельеф поверхности, производит дополнительную активацию примеси. СБИС программируемой логики ПЛ. Отечественным производителям электронной техники трудно конкурировать с зарубежными фирмами в области массового производства товаров широкого потребления. Однако в области разработки и создания сложной наукоемкой продукции в России сохранились условия, кадры, научный потенциал. Большое число предприятий и учреждений способно разрабатывать уникальные электронные устройства. Высокотехнологичным "сырьем" для таких разработок в области цифровой электроники служат легко доступные на отечественном рынке электронные компоненты: микропроцессоры, контроллеры, СБИС памяти и др. Микропроцессорная техника давно и прочно укоренилась в отечественных разработках. Однако в последние годы появилась новая элементная сбис интегральная схема - СБИС программируемой логики programmable logic device - PLDкоторая, удачно дополняя и заменяя микропроцессорные средства, в ближайшие годы станет "настольным материалом" для разработчиков. СБИС ПЛ оказываются вне конкуренции в областях, где требуется создание высокопроизводительных специализированных устройств, ориентированных на аппаратную реализацию. Аппаратное решение задач обеспечивает распараллеливание процесса обработки и увеличивает производительность в десятки раз по сравнению с программным решением, а использование СБИС ПЛ, в отличие от специализированных СБИС, обеспечивает такую же гибкость реализации, как у любых программных решений. В последние годы динамика развития и производства СБИС ПЛ. СБИС ПЛ представляют собой полузаказную СБИС и включают реализованные на кристалле универсальные настраиваемые пользователем функциональные преобразователи и программируемые связи между этими преобразователями. По сравнению с базовыми матричными кристаллами БМК использование СБИС ПЛ обеспечивает существенно более короткий цикл разработки, экономический выигрыш при мелкосерийном до нескольких тысяч изделий производстве и возможность внесения изменений в проект на любом этапе разработки. Заказную СБИС или БМК разработают для Вашего уникального проекта за сбис интегральная схема месяцев. Но только на СБИС ПЛ Вы запрограммируете его сбис интегральная схема за кратчайшее время и с минимальными сбис интегральная схема. Разработчик сбис интегральная схема цифрового устройства, используя средства САПР СБИС ПЛ, в привычной ему форме схемы, текстовое описание задает требуемое устройство и получает программирующий СБИС ПЛ файл, который используется при программировании на программаторе или непосредственно на плате. Программирование заключается в задании нужных свойств функциональным сбис интегральная схема и установлении необходимых связей между ними. Программируемые элементы - электронные ключи. Производители, архитектура и возможности существующих в настоящее время типов СБИС ПЛ разнообразны. Систематизация сбис интегральная схема гибкой логики производится обычно по следующим классификационным признакам: степень интеграции логическая емкость ; архитектура функционального преобразователя; организация внутренней структуры СБИС и структуры матрицы соединений функциональных преобразователей; тип используемого программируемого элемента; наличие внутренней оперативной памяти. Степень интеграции логическая емкость - наиболее важная характеристика СБИС ПЛ, по сбис интегральная схема осуществляется выбор. Производители СБИС ПЛ стоят на передовых рубежах электронной технологии текущая рабочая проектная норма составляет 0,25 мкми число транзисторов в СБИС ПЛ большой емкости составляет десятки миллионов. Сбис интегральная схема ввиду избыточности структур, включающих большое число коммутирующих сбис интегральная схема, логическую емкость измеряют в эквивалентных логических вентилях типа 2И-НЕ 2ИЛИ-НЕкоторые понадобилось бы для реализации устройств той же сложности, что и на сбис интегральная схема СБИС. Основные производители СБИС ПЛ - фирмы Altera 34% мирового объема продажXilinx 33%Actel 9%. Максимальная логическая емкость достигнута в настоящее время в СБИС ПЛ, выпускаемых фирмой Altera семейства FLEX10Kи составляет 250000 логических вентилей, а к концу 1998 г. Функциональные преобразователи СБИС ПЛ включают в себя настраиваемые средства реализации логических функций и триггер т. Наиболее часто логические функции реализуются в виде суммы логических произведений sum of product либо на шестнадцатибитных ПЗУ таблицы перекодировки. СБИС ПЛ с функциональными преобразователями на базе сумм термов, позволяют сбис интегральная схема реализовывать сложные логические функции, а на базе таблиц перекодировки создавать насыщенные триггерами устройства. Организация внутренней структуры СБИС и структуры матрицы соединений функциональных преобразователей - основной отличительный признак различных СБИС ПЛ. Большинство фирм выпускает сложные СБИС ПЛ, располагая функциональные преобразователи в горизонтальных рядах сбис интегральная схема вертикальных столбцах в виде квадратной матрицы на площади кристалла, тогда как связи между преобразователями выполняются в виде проводников, разделенных на отдельные участки сегменты электронными ключами. Такая одноуровневая структура получила название FPGA Field Programmable Gate Array. Иерархическая многоуровневая организация СБИС ПЛ позволяет улучшить их технические характеристики. При многоуровневой организации функциональные преобразователи группируются в блоки например, в СБИС семейств FLEX10K фирмы Altera в логический блок входит 8 функциональных сбис интегральная схемаимеющие свою собственную локальную шину межсоединений. Блоки обмениваются сигналами друг с другом через шины межсоединений верхнего уровня. Структура такого типа показана на рис. Проводники межсоединений изготавливаются непрерывными т. Кроме того, непрерывные линии межсоединений обеспечивают возможность взаимной замены логических блоков без изменения временной модели устройства, что существенно ускоряет процедуру размещения проекта на кристалле сбис интегральная схема упрощает временное моделирование. Тип используемого программируемого элемента - электронного ключа, определяет возможности СБИС ПЛ. Наиболее перспективны программируемые элементы, выполненные по EEPROM и FLASH технологии полевые транзисторы с плавающим затворомобеспечивающие энергонезависимое хранение конфигурации и многократное перепрограммирование в том числе и распаянной микросхемы непосредственно на платеи элементы, выполненные по SRAM технологии, т. SRAM - технология обеспечивает меньшее энергопотребление и позволяет реконфигурировать СБИС ПЛ за десятки миллисекунд, обеспечивая исходную загрузку конфигурирующей памяти и, при необходимости, реконфигурирование для адаптации структуры реализуемого устройства. Особое место занимает ряд семейств СБИС ПЛ, выпускаемых фирмой Actel имеющих программируемые элементы - antifuse, представляющие собой pn - переходы, пробиваемые при программировании. Эти СБИС ПЛ имеют высокую стойкость к хранению конфигурации при спецвоздействиях, но не получили широкого распространения в силу их высокой стоимости и однократности программирования. Наличие внутренней оперативной памяти дает пользователю СБИС ПЛ. Организация внутренней памяти в СБИС ПЛ различных производителей различна. В семействе FLEX10K фирмы Altera - это крупные выделенные модули памяти объемом 2 Кбит, в СБИС других производителей - распределенные по кристаллу небольшие блоки. Например, в СБИС фирмы Xilinx - теневые ОЗУ таблиц перекодировки объемом 32 бита, в СБИС ПЛ фирмы Atmel - расположенные сбис интегральная схема узлах матрицы межсоединений сбис интегральная схема памяти объемом 32х4 бита. Возможности СБИС ПЛ сбис интегральная схема широки и удовлетворяют различным требованиям разработчиков цифровых устройств. Семейства Сбис интегральная схема SRAM технология конфигурирующих элементов выпускаются в корпусах с числом выводов до 600, требуют загрузки конфигурации каждый раз при включении питания или при необходимости внесения изменений в функционирование СБИС, но обладают существенно большей логической емкостью по сравнению с энергонезависимыми семействами MAX и меньшим энергопотреблением на функциональный преобразователь. Семейства MAX могут обеспечить задержку сигнала до 5 нс. Наиболее перспективными семействами СБИС Сбис интегральная схема фирмы Altera являются FLEX10K, FLEX6000, МАХ7000S,A. МИКРОПРОЦЕССОРЫ По числу больших интегральных схем БИС в микропроцессорном комплекте различают микропроцессоры однокристальные, многокристальные и многокристальные секционные. Процессоры даже самых простых ЭВМ имеют сложную сбис интегральная схема структуру, содержат большое количество электронных элементов и множество разветвленных связей. Изменять структуру процессора сбис интегральная схема так, чтобы полная принципиальная схема или ее части имели количество элементов и связей, совместимое с возможностями БИС. При этом микропроцессоры приобретают внутреннюю магистральную архитектуру, т. Для обоснования классификации микропроцессоров по числу Сбис интегральная схема надо распределить все аппаратные блоки процессора между основными сбис интегральная схема функциональными частями: операционной, управляющей интерфейсной. Сложность операционной и управляющей частей процессора определяется их разрядностью, системой команд и требованиями к системе прерываний; сложность интерфейсной части разрядностью и возможностями подключения других сбис интегральная схема ЭВМ памяти, внешних устройств, сбис интегральная схема исполнительных механизмов и др. Интерфейс процессора содержит несколько десятков информационных шин данных ШДадресов ША и управления ШУ. Однокристальные микропроцессоры получаются при реализации всех аппаратных средств процессора в виде одной БИС или СБИС сверхбольшой интегральной схемы. По мере увеличения степени интеграции элементов в кристалле и числа выводов корпуса параметры однокристальных микропроцессоров улучшаются. Однако возможности однокристальных микропроцессоров ограничены аппаратными ресурсами кристалла и корпуса. Для получения многокристального микропроцессора необходимо провести разбиение его логической структуры на функционально законченные части и реализовать их в виде БИС СБИС. Функциональная законченность БИС многокристального микропроцессора означает, что его части выполняют заранее определенные функции и могут работать автономно. Функциональная структура процессора а и ее разбиение для реализации процессора в виде комплекта секционных БИС. Операционный процессор служит для обработки данных, управляющий процессор выполняет функции выборки, декодирования и вычисления адресов операндов и также генерирует последовательности микрокоманд. Автономность работы и большое быстродействие БИС УП сбис интегральная схема выбирать команды из памяти с большей скоростью, чем скорость их исполнения БИС ОП. При этом в УП образуется очередь еще не исполненных команд, а также заранее подготавливаются те данные, которые сбис интегральная схема ОП в следующих циклах работы. Такая опережающая выборка команд экономит время ОП на ожидание операндов, необходимых для выполнения команд программ. БИС ИП выполняет также функции канала прямого доступа к памяти. Выбираемые из памяти команды распознаются и выполняются каждой частью микропроцессора автономно и поэтому может быть обеспечен режим одновременной работы всех БИС МП, т. Такой режим работы значительно повышает производительность микропроцессора. Многокристальные секционные микропроцессоры получаются в сбис интегральная схема случае, когда в виде БИС реализуются части секции логической структуры процессора при функциональном разбиении ее сбис интегральная схема плоскостями рис. Для построения многоразрядных микропроцессоров при параллельном включении сбис интегральная схема БИС в них добавляются средства "стыковки". Для создания высокопроизводительных многоразрядных микропроцессоров требуется столь много аппаратных средств, сбис интегральная схема реализуемых в доступных БИС, что может возникнуть необходимость еще и в функциональном разбиении структуры микропроцессора сбис интегральная схема плоскостями. В результате рассмотренного функционального разделения структуры микропроцессора на функционально и конструктивно законченные части создаются условия реализации каждой из них в виде БИС. Все они образуют комплект секционных БИС МП. Таким образом, микропроцессорная секция это БИС, предназначенная для обработки нескольких разрядов данных или выполнения определенных управляющих операций. Секционность БИС МП определяет возможность "наращивания" разрядности обрабатываемых данных или усложнения устройств управления микропроцессора при "параллельном" включении большего числа БИС. Однокристальные и трехкристальные БИС МП, как правило, изготовляют на основе микроэлектронных технологий униполярных полупроводниковых приборов, а многокристальные секционные БИС МП на основе технологии биполярных полупроводниковых приборов. Использование многокристальных микропроцессорных высокоскоростных биполярных БИС, имеющих функциональную законченность при малой физической разрядности обрабатываемых данных и монтируемых в корпус с большим числом выводов, позволяет организовать разветвление связи в процессоре, а также осуществить конвейерные принципы обработки информации сбис интегральная схема повышения его производительности. По назначению различают универсальные и специализированные микропроцессоры. Универсальные микропроцессоры могут быть применены для решения широкого круга разнообразных задач. При этом их эффективная производительность слабо зависит от проблемной сбис интегральная схема решаемых задач. Среди специализированных микропроцессоров можно выделить различные микроконтроллеры, ориентированные на выполнение сложных последовательностей логических операций, математические МП, предназначенные для повышения производительности при выполнении арифметических операций за счет, например, матричных методов их выполнения, МП для обработки данных в различных областях применений и т. С помощью специализированных МП можно эффективно решать новые сложные задачи параллельной обработки данных. Например, конволюция позволяет осуществить более сложную математическую обработку сбис интегральная схема, чем широко используемые методы корреляции. Последние в основном сводятся к сравнению всего двух серий данных: входных, передаваемых формой сигнала, и фиксированных опорных и к определению их подобия. Конволюция дает возможность в реальном масштабе времени находить соответствие для сигналов изменяющейся формы путем сравнения их с различными эталонными сигналами, что, например, может позволить эффективно выделить полезный сигнал на фоне шума. Разработанные однокристальные конвольверы используются в устройствах опознавания образов в тех случаях, когда возможности сбора данных превосходят способности системы обрабатывать эти данные. По виду обрабатываемых входных сигналов различают цифровые и аналоговые микропроцессоры. Сами микропроцессоры цифровые устройства, однако могут иметь встроенные аналого-цифровые и цифро-аналоговые преобразователи. Поэтому входные аналоговые сигналы передаются в МП через преобразователь в цифровой форме, обрабатываются и после обратного преобразования в аналоговую форму поступают на выход. С сбис интегральная схема точки зрения такие микропроцессоры представляют собой аналоговые функциональные преобразователи сигналов и называются аналоговыми микропроцессорами. Они выполняют функции любой аналоговой схемы например, производят генерацию колебаний, модуляцию, смещение, фильтрацию, кодирование и декодирование сигналов сбис интегральная схема реальном масштабе времени и т. При этом применение аналогового микропроцессора значительно повышает точность обработки аналоговых сигналов их воспроизводимость, а также расширяет функциональные возможности за счет программной "настройки" цифровой части сбис интегральная схема на различные алгоритмы обработки сигналов. Обычно в составе однокристальных аналоговых МП имеется несколько каналов аналого-цифрового и цифро-аналогового преобразования. В аналоговом микропроцессоре разрядность обрабатываемых данных достигает 24 бит и более, большое значение уделяется увеличению скорости выполнения арифметических операций. Отличительная черта аналоговых микропроцессоров способность к переработке большого объема числовых данных, т. Аналоговый сигнал, преобразованный в цифровую форму, обрабатывается в реальном масштабе времени и передается на выход обычно сбис интегральная схема аналоговой форме через цифро-аналоговый преобразователь. При этом согласно теореме Котельникова частота квантования аналогового сигнала должна вдвое сбис интегральная схема верхнюю частоту сигнала. Сравнение цифровых микропроцессоров производится сопоставлением времени выполнения ими списков операций. Сравнение же аналоговых микропроцессоров производится по количеству эквивалентных звеньев аналого-цифровых фильтров рекурсивных фильтров второго порядка. Производительность аналогового микропроцессора определяется его способностью быстро выполнять операции умножения: чем быстрее осуществляется умножение, тем больше эквивалентное количество звеньев фильтра в аналоговом преобразователе и тем более сложный алгоритм преобразования цифровых сигналов можно задавать в микропроцессоре. Одним из направлений дальнейшего совершенствования аналоговых микропроцессоров является повышение их универсальности и гибкости. Поэтому вместе с повышением скорости обработки большого объема цифровых данных будут развиваться средства обеспечения развитых вычислительных процессов обработки цифровой информации за счет реализации аппаратных блоков прерывания программ и программных переходов. По характеру временной организации работы микропроцессоры делят на синхронные и асинхронные. Синхронные микропроцессоры - микропроцессоры, в сбис интегральная схема начало и конец выполнения операций задаются устройством управления время выполнения операций в этом случае не зависит от вида выполняемых команд и величин операндов. Асинхронные микропроцессоры позволяют начало выполнения каждой следующей операции определить сбис интегральная схема сигналу фактического окончания выполнения предыдущей операции. Для более эффективного использования каждого устройства микропроцессорной системы в состав асинхронно работающих устройств вводят электронные цепи, обеспечивающие автономное функционирование сбис интегральная схема. Закончив работу над какой-либо операцией, устройство вырабатывает сигнал запроса, означающий его готовность к выполнению следующей операции. При этом роль естественного распределителя работ принимает на себя память, которая в соответствии с заранее установленным приоритетом выполняет запросы остальных устройств по обеспечению их командной информацией и данными. По организации структуры микропроцессорных систем различают микроЭВМ одно - и многомагистральные. В одномагистральных микроЭВМ все устройства имеют одинаковый интерфейс и подключены к единой информационной магистрали, по которой передаются коды данных, адресов и управляющих сигналов. В многомагистральных микроЭВМ устройства группами подключаются к своей информационной магистрали. Это сбис интегральная схема осуществить одновременную передачу информационных сигналов по нескольким или всем сбис интегральная схема. Такая организация систем усложняет их конструкцию, однако увеличивает производительность. Сбис интегральная схема количеству выполняемых программ различают одно- и многопрограммные микропроцессоры. В однопрограммных микропроцессорах выполняется только одна программа. Переход к выполнению другой программы происходит после завершения текущей программы. В много- или мультипрограммных микропроцессорах одновременно выполняется несколько обычно несколько десятков программ. Организация мультипрограммной работы микропроцессорных управляющих систем позволяет осуществить контроль за состоянием и управлением большим числом источников или приемников информации. МАТРИЧНЫЕ МИКРОПРОЦЕССОРЫ И АВТОМАТИЗАЦИЯ ПРОЕКТИРОВАНИЯ ЦИФРОВЫХ СБИС НА БАЗЕ МАТРИЦ ВАЙНБЕРГЕРА И ТРАНЗИСТОРНЫХ МАТРИЦ 5. Использование матриц при проектировании процессоров может быть двухсторонним: матрицы транзисторов для проектирования микропроцессоров и матрицы микропроцессоров для проектировании процессорных систем. Использование матриц при построении сбис интегральная схема систем не ограничивается соединением процессоров по конвейерному принципу. Подобную архитектуру можно использовать также и при проектировании ИС с использованием транзисторных матриц, выполненных по Сбис интегральная схема. Рассмотрим оба варианта применения матриц. Определение структуры операционного автомата1. Разработка граф схемы алгоритма2. Синтез м В соответствии с заданием в данном курсовом проекте необходимо синтезировать цифровой автомат. После нажатия кнопки ПУСК эта схема дол Министерство общего и профессионального образованияВологодский политехнический институт Кафедра: АТППДисциплина: ССУКурсовой проект Министерство РФ по связи информатизацииУральский Государственный Технический Университет - УПИКафедра сбис интегральная схема Отчетпо производ.

Также смотрите:

Комментарии:
  • Серега Горбачев

    14.11.2015

    Описывается типовая структура адаптивного алгоритма,... Развитие техники и технологии СБИС обусловило весьма существенные вменения в специфике электронной промышленности, заключающееся в совершенствовании процесса изготовления ИС и методов их проектирования.